- Подробности
- Категория: Новости
- Создано 04.10.2010 15:36
Научная работа "Electrical levels of dislocation network in p- and n-type silicon" магистранта кафедры электроники твердого тела физического факультета СПбГУ Ивана Исакова на международной конференции по протяженным дефектам в полупроводниках EDS-2010, проходившей с 19 по 24 сентября 2010 г. в Великобритании, была признана лучшей среди докладов молодых ученых и отмечена премией Гельмута Александра (Helmut Alexander). Научный руководитель И. Исакова - профессор физического факультета и директор Междисциплинарного ресурсного центра (МРЦ) по направлению «Нанотехнологии» СПбГУ Вывенко Олег Федорович. "Исследование Ивана Исакова невозможно было бы выполнить без уникального научного оборудования МРЦ «Нанотехнологии». Благодаря современному оснащению МРЦ Иван смог получить новые уникальные результаты», - объясняет Олег Вывенко.